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FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundante Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundante Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA

Produktdetails:
Herkunftsort: JAPAN
Markenname: INFINEON
Zertifizierung: CE
Modellnummer: Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Richtlinie 200
Ausführliche Information
Herkunftsort:
JAPAN
Markenname:
INFINEON
Zertifizierung:
CE
Modellnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Richtlinie 200
Eingegebene Kanäle:
32
LocalBus-Anschlusswerte:
12 VDC bei 150 MA
Kabellänge:
0.3 m
Aktuelle Bewertung:
8 AMPERE
Abmessungen:
150 mm x 100 mm x 40 mm
Ausgangsspannung:
12V Gleichstrom
Betriebsspannung:
220 (V)
Stromspannung:
115-230 VAC
Hervorheben:

High Light

Hervorheben:

Infineon redundantes Netzteilmodul 115-230 VAC

,

12 VDC redundantes Netzteilmodul

,

150 MA redundantes Netzteilmodul

Handelsinformationen
Min Bestellmenge:
1
Preis:
Verhandelbar
Verpackung Informationen:
Neu und Original
Lieferzeit:
5-7 Tage
Zahlungsbedingungen:
T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100
Produkt-Beschreibung

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundantes Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA

 

FF1200R17KE3_B2 Beschreibung​
Der FF1200R17KE3_B2 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon Technologies, das für anspruchsvolle industrielle Leistungsumwandlungsanwendungen entwickelt wurde. Als Teil der fortschrittlichen IGBT-Serie von Infineon integriert dieses Modul mehrere IGBTs und Freilaufdioden in einem einzigen kompakten Gehäuse, was eine robuste Leistung in Hochstrom- und Hochspannungsumgebungen ermöglicht. Es bietet zuverlässiges Schalten, geringe Verluste und hervorragende thermische Eigenschaften und ist somit ideal für Hochleistungs-Motorantriebe, erneuerbare Energie-Wechselrichter und industrielle Stromversorgungen.

 

FF1200R17KE3_B2 Merkmale​

  • Hohe Leistungsdichte:​ Dual-IGBT-Konfiguration mit antiparallelen Dioden in einem kompakten Modul, das hohe Strom- und Spannungswerte für platzbeschränkte Designs unterstützt.
  • Technologie mit geringen Verlusten:​ Verwendet fortschrittliche IGBT- und Dioden-Chiptechnologie, um Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren und die Gesamtsystemeffizienz zu verbessern.
  • Hohe Zuverlässigkeit:​ Robustes Keramiksubstrat-Design gewährleistet hervorragende Isolation, Thermoschockbeständigkeit und langfristige Betriebsstabilität.
  • Einfache Montage:​ Isolierte Grundplatte (B2-Variante) ermöglicht eine unkomplizierte Montage an einem gemeinsamen Kühlkörper ohne zusätzliche Isolierung, was das Wärmemanagement vereinfacht.
  • Design mit geringer Induktivität:​ Optimiertes internes Layout minimiert parasitäre Induktivität, verbessert die Schaltleistung und reduziert Überspannungen.
  • Temperaturüberwachung:​ Integrierter NTC-Thermistor (Negative Temperature Coefficient) bietet Echtzeit-Temperaturerfassung für Thermoschutz und Systemüberwachung.
FF1200R17KE3_B2 Material & Anwendungen​
  • Material:​ Das Modul verfügt über einen Hochleistungs-Silizium-IGBT- und Dioden-Chipsatz, Aluminiumnitrid (AlN) oder Al₂O₃-Keramiksubstrat für elektrische Isolation und eine Kupfergrundplatte für effiziente Wärmeableitung. Das Gehäuse besteht aus PPS-Kunststoff (Polyphenylensulfid), der eine hohe Temperaturbeständigkeit und mechanische Festigkeit bietet.
  • Primäre Anwendungen:​
    • Hochleistungs-Motorantriebe und Servoantriebe für Industriemaschinen.
    • Solar- und Windkraft-Wechselrichtersysteme.
    • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Schweißgeräte.
    • Traktions- und Bahnantriebssysteme.
FF1200R17KE3_B2 Schlüsselparameter
Parameter
Spezifikation
Modell​
FF1200R17KE3_B2
Hersteller​
Infineon Technologies
Modultyp​
Dual-IGBT-Modul (2 in 1)
Nennkollektorstrom (Ic @ 25°C)​
1200 A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vces)​
1700 V
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat))​
2,5 V (typisch)
Maximale Gesamtverlustleistung (Pt)​
6000 W
Isolationsspannung (Visol)​
4000 Vrms / 5600 Vdc
Sperrschichttemperaturbereich (Tvj)​
-40°C bis +175°C
Modulgewicht​
Ca. 400 g
Anschlusstyp​
Schraubklemmen
Integrierte Diode​
Ja (Schnelle Erholung, antiparallele Diode)
Thermischer Sensor​
Integrierter NTC-Thermistor
Montage​
Isolierte Grundplatte (B2-Variante)
Gehäusematerial​
PPS-Kunststoff
Empfohlenes Drehmoment (Klemmen)​
2,5 Nm
Konformität mit Standards​
RoHS-konform, UL-zertifiziert
 
 
 

Guter Service in WTL:

> Wir bieten hohe Qualität, schnelle Lieferung und wettbewerbsfähige Preise für Mitsubishi Servoantriebe und -motoren.

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Haftung:

 

WTL haftet nicht für Personen- oder Sachschäden, die durch die Verwendung dieses Geräts entstehen. Es liegt in der

Verantwortung des Käufers, dieses Gerät sicher zu handhaben und zu betreiben und zu überprüfen, ob das Gerät

den Anforderungen seiner Maschinen entspricht.

 

 

Unsere Vorteilsprodukte:

 

[Honeywell]Modul DCS / PLC

 

[Emerson / Delta V]Modul


[ABB]Eingangs-/Ausgangsmodul

 

[AB]Modul / Touchscreen

 

[Rosemount]Druck- und Temperaturtransmitter

 

[Yokogawa]Drucktransmitter

 

[Yaskawa]Servoantrieb / Servomotor


[GE/Fanuc]IC69-Serie PLC

 

[Mitsubishi]Servoantrieb / Servomotor


(Modicon, SMC, SICK, NORGREN, Siemens usw.)

 
 
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