FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundante Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA
FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundante Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA
Produktdetails:
Herkunftsort:
JAPAN
Markenname:
INFINEON
Zertifizierung:
CE
Modellnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Richtlinie 200
Ausführliche Information
Herkunftsort:
JAPAN
Markenname:
INFINEON
Zertifizierung:
CE
Modellnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Fahrzeuge, die in Anhang I der Richtlinie 200
Eingegebene Kanäle:
32
LocalBus-Anschlusswerte:
12 VDC bei 150 MA
Kabellänge:
0.3 m
Aktuelle Bewertung:
8 AMPERE
Abmessungen:
150 mm x 100 mm x 40 mm
Ausgangsspannung:
12V Gleichstrom
Betriebsspannung:
220 (V)
Stromspannung:
115-230 VAC
Hervorheben:
High Light
Hervorheben:
Infineon redundantes Netzteilmodul 115-230 VAC
,
12 VDC redundantes Netzteilmodul
,
150 MA redundantes Netzteilmodul
Handelsinformationen
Min Bestellmenge:
1
Preis:
Verhandelbar
Verpackung Informationen:
Neu und Original
Lieferzeit:
5-7 Tage
Zahlungsbedingungen:
T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100
Produkt-Beschreibung
FF1200R17KE3_B2 INFINEON Redundantes Stromversorgungsmodul 115-230 VAC 12 VDC bei 150 MA
FF1200R17KE3_B2 BeschreibungDer FF1200R17KE3_B2 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon Technologies, das für anspruchsvolle industrielle Leistungsumwandlungsanwendungen entwickelt wurde. Als Teil der fortschrittlichen IGBT-Serie von Infineon integriert dieses Modul mehrere IGBTs und Freilaufdioden in einem einzigen kompakten Gehäuse, was eine robuste Leistung in Hochstrom- und Hochspannungsumgebungen ermöglicht. Es bietet zuverlässiges Schalten, geringe Verluste und hervorragende thermische Eigenschaften und ist somit ideal für Hochleistungs-Motorantriebe, erneuerbare Energie-Wechselrichter und industrielle Stromversorgungen.
FF1200R17KE3_B2 Merkmale
Hohe Leistungsdichte: Dual-IGBT-Konfiguration mit antiparallelen Dioden in einem kompakten Modul, das hohe Strom- und Spannungswerte für platzbeschränkte Designs unterstützt.
Technologie mit geringen Verlusten: Verwendet fortschrittliche IGBT- und Dioden-Chiptechnologie, um Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren und die Gesamtsystemeffizienz zu verbessern.
Hohe Zuverlässigkeit: Robustes Keramiksubstrat-Design gewährleistet hervorragende Isolation, Thermoschockbeständigkeit und langfristige Betriebsstabilität.
Einfache Montage: Isolierte Grundplatte (B2-Variante) ermöglicht eine unkomplizierte Montage an einem gemeinsamen Kühlkörper ohne zusätzliche Isolierung, was das Wärmemanagement vereinfacht.
Design mit geringer Induktivität: Optimiertes internes Layout minimiert parasitäre Induktivität, verbessert die Schaltleistung und reduziert Überspannungen.
Temperaturüberwachung: Integrierter NTC-Thermistor (Negative Temperature Coefficient) bietet Echtzeit-Temperaturerfassung für Thermoschutz und Systemüberwachung.
FF1200R17KE3_B2 Material & Anwendungen
Material: Das Modul verfügt über einen Hochleistungs-Silizium-IGBT- und Dioden-Chipsatz, Aluminiumnitrid (AlN) oder Al₂O₃-Keramiksubstrat für elektrische Isolation und eine Kupfergrundplatte für effiziente Wärmeableitung. Das Gehäuse besteht aus PPS-Kunststoff (Polyphenylensulfid), der eine hohe Temperaturbeständigkeit und mechanische Festigkeit bietet.
Primäre Anwendungen:
Hochleistungs-Motorantriebe und Servoantriebe für Industriemaschinen.
Solar- und Windkraft-Wechselrichtersysteme.
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Schweißgeräte.
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Haftung:
WTL haftet nicht für Personen- oder Sachschäden, die durch die Verwendung dieses Geräts entstehen. Es liegt in der
Verantwortung des Käufers, dieses Gerät sicher zu handhaben und zu betreiben und zu überprüfen, ob das Gerät